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2SB1132
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KUU(永裕泰)
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):32V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW 封装:1112
最小包: 1000
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KM3139K
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KUU(永裕泰)
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):660mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):510Ω@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 工作温度:-55-150℃@(Tj) 封装:1111
最小包: 8000
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KM3134K
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KUU(永裕泰)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):750mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):330Ω@4.5V,650mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 工作温度:-55-150℃@(Tj) 封装:1110
最小包: 8000
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2SC4617
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KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):150mW 封装:1109
最小包: 3000
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DTC143ZE
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KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极截止电流(Icbo):100nA 封装:1108
最小包: 3000
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MMBT3904T
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KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 封装:1107
最小包: 3000
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2N7002T-7-F
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KUU(永裕泰)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA 封装:1106
最小包: 3000
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WNM4002-3/TR
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KUU(永裕泰)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA 封装:1105
最小包: 3000
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2SK3019
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KUU(永裕泰)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA 封装:1104
最小包: 3000
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BAV99BRW
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KUU(永裕泰)
功率:200mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):300mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向恢复时间(trr):4ns 封装:1103
最小包: 3000
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BAV70DW
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KUU(永裕泰)
功率:200mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向恢复时间(trr):4ns 封装:1102
最小包: 3000
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SMF05C
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KUU(永裕泰)
反向截止电压(Vrwm):5V 击穿电压(VBR):6V 钳位电压(Vc)@Ipp:15V 封装:1101
最小包: 3000
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MMBT3904W
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KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 封装:1100
最小包: 3000
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SS8550
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KUU(永裕泰)
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V H档 封装:1099
最小包: 3000
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SS8050
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KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V H档200-350 封装:1098
最小包: 3000
起订量: 3000
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S9015
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KUU(永裕泰)
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 封装:1097
最小包: 3000
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MMST3906
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KUU(永裕泰)
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 封装:1096
最小包: 3000
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2SC1623
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KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V 封装:1095
最小包: 3000
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2SA812
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KUU(永裕泰)
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 封装:1094
最小包: 3000
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2SK3018W
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KUU(永裕泰)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@100uA 工作温度:-55-150℃@(Tj) 封装:1093
最小包: 3000
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