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二极管与整流器分立半导体模块晶闸管晶体管

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PSMN9R5-30YLC

Element14

NEXPERIA

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, SC-100, 表面安装

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FQP12P20.

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功率场效应管, MOSFET, P沟道, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-220, 通孔

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FQD19N10TM

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ON SEMICONDUCTOR

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 15.6 A, 0.078 ohm, TO-252AA, 表面安装

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PSMN9R5-30YLC

Element14

NEXPERIA

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, SC-100, 表面安装

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STP4N52K3

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STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 525 V, 2.5 A, 2.1 ohm, TO-220FP, 通孔

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SIS413DN-T1-GE3

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VISHAY

功率场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装

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10 ￥4.3375

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IRFB20N50KPBF.

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VISHAY

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220AB, 通孔

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1 ￥37.0375

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SI2308BDS-T1-GE3

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VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 2.3A, TO-236, 整卷

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IRFRC20TRPBF

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VISHAY

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252AA, 表面安装

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BSC080N03MSGATMA1

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INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 53 A, 0.0067 ohm, PG-TDSON, 表面安装

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IRF630PBF

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VISHAY

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, 通孔

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SI7898DP-T1-E3

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VISHAY

功率场效应管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SO, 表面安装

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EM6J1T2R

Element14

ROHM

双路场效应管, MOSFET, P沟道, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-563, 表面安装

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SI2308BDS-T1-GE3

Element14

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 2.3A, TO-236, 整卷

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FDMS6673BZ

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功率场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 28 A, 0.0052 ohm, Power 56, 表面安装

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IRFBC40SPBF

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VISHAY

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263AB, 表面安装

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1 ￥37.8250

10 ￥33.9500

25 ￥32.1000

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FDS6682

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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 14 A, 0.0075 ohm, SOIC, 表面安装

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STB120N4LF6

Element14

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装

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1 ￥17.1375

10 ￥15.3875

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STW48N60DM2

Element14

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, Mdmesh DM2, N沟道, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-247, 通孔

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1 ￥67.9875

10 ￥61.3750

25 ￥58.5250

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PSMN1R4-30YLDX

Element14

NEXPERIA

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 100 A, 0.00111 ohm, SOT-669, 表面安装

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10 ￥7.3500

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