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| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 包装 | 管件 | |
| 零件状态 | 有源 | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 11A，10V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 67nC @ 10V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1160pF @ 25V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 供应商器件封装 | TO-262 | |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | |
| 基本零件编号 | IRF640 |
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