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SI3477DV-T1-GE3

供应商型号:SI3477DV-T1-GE3TR-ND

含税单价7.1100

品      牌Vishay Siliconix 期货周期8 周

参数 表面贴装型 P 通道 12V 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
标准包装 1
数据表 SI3477DV-T1-GE3 PDF资料
数量
+-
库存:2824
交期9-15工作日
递增 起订1       递增倍数1
阶梯价格(人民币含税)
  • 1-10件¥7.11
  • 10-25件¥6.28
  • 25-100件¥5.90
  • 100-500件¥4.82
  • 500-1000件¥3.81
  • 1000件以上¥3.05
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类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 
零件状态 有源
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 17.5 毫欧 @ 9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 90nC @ 10V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2600pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta),4.2W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
基本零件编号 SI3477
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