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| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | ||
| 制造商 | EPC | |
| 系列 | eGaN® | |
| 包装 | 卷带（TR） | |
| 零件状态 | 有源 | |
| FET 类型 | 3 N 沟道（半桥 + 同步自举） | |
| FET 功能 | GaNFET（氮化镓） | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V，100V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A，500mA | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 22pF @ 30V，7pF @ 30V | |
| 功率 - 最大值 | - | |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 封装/外壳 | 9-VFBGA | |
| 供应商器件封装 | 9-BGA（1.35x1.35） |
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