类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | ||
制造商 | Advanced Linear Devices Inc. | |
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 有源 | |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)配对 | |
FET 功能 | 标准 | |
漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 500 欧姆 @ 5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3pF @ 5V | |
功率 - 最大值 | 500mW | |
工作温度 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
供应商器件封装 | 8-SOIC |