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SI7252DP-T1-GE3

供应商型号:SI7252DP-T1-GE3TR-ND

含税单价20.7000

品      牌Vishay Siliconix 期货周期23 周

参数 MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 36.7A 46W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
标准包装 1
数据表 SI7252DP-T1-GE3 PDF资料

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阶梯价格(人民币含税)
  • 1-10件¥20.70
  • 10-25件¥18.58
  • 25-100件¥17.53
  • 100-500件¥14.94
  • 500-1000件¥12.27
  • 1000件以上¥10.52
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类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 
零件状态 有源
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 36.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 18 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1170pF @ 50V
功率 - 最大值 46W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 双
基本零件编号 SI7252
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