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| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 系列 | OptiMOS™ | |
| 包装 | 卷带（TR） | |
| 零件状态 | 有源 | |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 | |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 | |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A，41A | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 20A，10V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.4nC @ 4.5V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100pF @ 12V | |
| 功率 - 最大值 | 2.5W | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | |
| 供应商器件封装 | PG-TISON-8 | |
| 基本零件编号 | BSG0811 |
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