| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 系列 | OptiMOS™ | |
| 包装 | 卷带（TR） | |
| 零件状态 | 有源 | |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 17A，10V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 25µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1755pF @ 25V | |
| 功率 - 最大值 | 60W | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装，可润湿侧翼 | |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-10 | |
| 基本零件编号 | IPG20N10 |
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