| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | ||
| 制造商 | Rohm Semiconductor | |
| 系列 | - | |
| 包装 | 散装 | |
| 零件状态 | 有源 | |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） | |
| FET 功能 | 碳化硅（SiC） | |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 204A（Tc） | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 35.2mA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23000pF @ 10V | |
| 功率 - 最大值 | 1130W | |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | |
| 封装/外壳 | 模块 | |
| 供应商器件封装 | 模块 | |
| 基本零件编号 | BSM180 |
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