| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | ||
| 制造商 | Advanced Linear Devices Inc. | |
| 系列 | EPAD® | |
| 包装 | 管件 | |
| 零件状态 | 有源 | |
| FET 类型 | 4 N 沟道，配对 | |
| FET 功能 | 耗尽模式 | |
| 漏源电压（Vdss） | 10.6V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12mA，3mA | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 500 欧姆 @ 2.7V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.26V @ 1µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2.5pF @ 5V | |
| 功率 - 最大值 | 500mW | |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TJ） | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 封装/外壳 | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | |
| 供应商器件封装 | 16-PDIP |
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