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MTI85W100GC-SMD

供应商型号:238-MTI85W100GC-SMD-ND

含税单价214.2200

品      牌IXYS 期货周期37 周

参数 MOSFET - 阵列 6 N-沟道(3 相桥) 100V 120A(Tc) 表面贴装型 ISOPLUS-DIL™
标准包装 13
数据表 MTI85W100GC-SMD PDF资料

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类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 IXYS
系列 -
包装 管件 
零件状态 有源
FET 类型 6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 88nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 17-SMD,鸥翼
供应商器件封装 ISOPLUS-DIL™
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