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APTM10DSKM09T3G

供应商型号:APTM10DSKM09T3G-ND

含税单价732.0500

品      牌Microchip Technology 期货周期32 周

参数 MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 139A 390W 底座安装 SP3
标准包装 1
数据表 APTM10DSKM09T3G PDF资料

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类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 Microchip Technology
系列 -
包装 散装 
零件状态 有源
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 139A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 69.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 350nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 9875pF @ 25V
功率 - 最大值 390W
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP3
供应商器件封装 SP3
基本零件编号 APTM10
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