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FDC6304P

供应商型号:FDC6304PCT-ND

含税单价5.3800

品      牌ON Semiconductor

参数 MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 25V 460mA 700mW 表面贴装型 SuperSOT™-6
标准包装 1
数据表 FDC6304P PDF资料

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类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 剪切带(CT) 
零件状态 停產
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 460mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 62pF @ 10V
功率 - 最大值 700mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装 SuperSOT™-6
基本零件编号 FDC6304
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