类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | ||
制造商 | ON Semiconductor | |
系列 | - | |
包装 | 剪切带(CT) | |
零件状态 | 停產 | |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压(Vdss) | 25V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 460mA | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.5nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 62pF @ 10V | |
功率 - 最大值 | 700mW | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | |
供应商器件封装 | SuperSOT™-6 | |
基本零件编号 | FDC6304 |