类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
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晶体管 - IGBT - 模块 | ||
制造商 | Microchip Technology | |
系列 | - | |
包装 | 散装 | |
零件状态 | 有源 | |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
配置 | 单路 | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 430A | |
功率 - 最大值 | 1150W | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 1.8V @ 15V,300A | |
电流 - 集电极截止(最大值) | 350µA | |
不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 24nF @ 25V | |
输入 | 标准 | |
NTC 热敏电阻 | 无 | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | SP6 | |
供应商器件封装 | SP6 | |
基本零件编号 | APTGT300 |