| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ||
| 制造商 | Toshibasemiconductor and Storage | |
| 系列 | - | |
| 包装 | 卷带（TR） | |
| 零件状态 | 有源 | |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V | |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，5mA | |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | |
| 功率 - 最大值 | 150mW | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 封装/外壳 | SOT-723 | |
| 供应商器件封装 | VESM | |
| 基本零件编号 | TPH4R606 |
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