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NSVMMUN2217LT1G

供应商型号:NSVMMUN2217LT1G-ND

含税单价0.4200

品      牌ON Semiconductor 期货周期51 周

参数 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50V 100mA 246mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)
标准包装 3000
数据表 NSVMMUN2217LT1G PDF资料

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类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 卷带(TR) 
零件状态 有源
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 35 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 246mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
基本零件编号 NSVMMUN2217
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