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AZ23B12-E3-08

供应商型号:AZ23B12-E3-08-ND

含税单价0.4800

品      牌Vishay General Semiconductor - Diodes Division 期货周期41 周

参数 二极管 - 齐纳 - 阵列 1 对共阳极 12V 300mW ±2% SOT-23
标准包装 15000
数据表 AZ23B12-E3-08 PDF资料

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类型 描述
类别 分立半导体产品
二极管 - 齐纳 - 阵列
制造商 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列 -
包装 卷带(TR) 
零件状态 有源
配置 1 对共阳极
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 12V
容差 ±2%
功率 - 最大值 300mW
阻抗(最大值)(Zzt) 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 100nA @ 9V
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
基本零件编号 AZ23B12
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