| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 | ||
| 制造商 | Texas Instruments | |
| 系列 | Automotive, AEC-Q100 | |
| 包装 | 剪切带（CT） | |
| 零件状态 | 有源 | |
| 晶体管类型 | 8 NPN 达林顿 | |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.6V @ 500µA，350mA | |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - | |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | - | |
| 功率 - 最大值 | - | |
| 频率 - 跃迁 | - | |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 封装/外壳 | 18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | |
| 供应商器件封装 | 18-SOIC | |
| 基本零件编号 | ULN2803 |
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