| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | |
| 系列 | - | |
| 包装 | 卷带（TR） | |
| 零件状态 | 有源 | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V | |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 220mV @ 200mA，2A | |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） | |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V | |
| 功率 - 最大值 | 800mW | |
| 频率 - 跃迁 | 120MHz | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | |
| 基本零件编号 | NSV1C200 |
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