类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
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晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ||
制造商 | IXYS | |
系列 | XPT™, GenX3™ | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 有源 | |
IGBT 类型 | PT | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 340A | |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 900A | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,100A | |
开关能量 | 3mJ(开),1.7mJ(关) | |
输入类型 | 标准 | |
栅极电荷 | 315nC | |
25°C 时 Td(开/关)值 | 47ns/125ns | |
测试条件 | 360V,100A,1 欧姆,15V | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | TO-247-3 | |
供应商器件封装 | PLUS247™-3 |