| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | |
| 系列 | - | |
| 包装 | 卷带（TR） | |
| 零件状态 | 有源 | |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650V | |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80A | |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 120A | |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.4V @ 15V，40A | |
| 功率 - 最大值 | 267W | |
| 开关能量 | 970µJ（开），280µJ（关） | |
| 输入类型 | 标准 | |
| 栅极电荷 | 36nC | |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 18ns/35ns | |
| 测试条件 | 400V，40A，6 欧姆，15V | |
| 反向恢复时间 (trr) | 34ns | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | |
| 供应商器件封装 | TO-263AB（D²PAK） | |
| 基本零件编号 | FGB4 |
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