含税单价￥110.3800
品 牌Texas Instruments
| 参数 | NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb（256K x 8） 并联 120ns 32-DIP 模块（18.42x52.96） |
| 标准包装 | 15 |
| 数据表 | BQ4014YMB-120 PDF资料 |
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￥110.2100/件
| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 集成电路（IC） | |
|---|---|---|
| 存储器 | ||
| 制造商 | Rochester Electronics, LLC | |
| 系列 | - | |
| 包装 | 管件 | |
| 零件状态 | 停產 | |
| 存储器类型 | 非易失 | |
| 存储器格式 | NVSRAM | |
| 技术 | NVSRAM（非易失性 SRAM） | |
| 存储容量 | 2Mb（256K x 8） | |
| 存储器接口 | 并联 | |
| 写周期时间 - 字，页 | 120ns | |
| 访问时间 | 120ns | |
| 电压 - 供电 | 4.5V ~ 5.5V | |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 封装/外壳 | 32-DIP 模块（0.61"，15.49mm） | |
| 供应商器件封装 | 32-DIP 模块（18.42x52.96） |
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