含税单价￥190.4500
品 牌Micron Technology Inc.
| 参数 | SRAM - 四端口，同步 存储器 IC 18Mb（512K x 36） 并联 167MHz 6ns 165-FBGA（13x15） |
| 标准包装 | 1 |
| 数据表 | MT54W512H36JF-6 PDF资料 |
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| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 集成电路（IC） | |
|---|---|---|
| 存储器 | ||
| 制造商 | Rochester Electronics, LLC | |
| 系列 | QDR™ | |
| 包装 | 散装 | |
| 零件状态 | 有源 | |
| 存储器类型 | 易失 | |
| 存储器格式 | SRAM | |
| 技术 | SRAM - 四端口，同步 | |
| 存储容量 | 18Mb（512K x 36） | |
| 存储器接口 | 并联 | |
| 时钟频率 | 167MHz | |
| 写周期时间 - 字，页 | - | |
| 访问时间 | 6ns | |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.9V | |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 封装/外壳 | 165-TBGA | |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
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