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R1LV0816ASD-5SI#B0

供应商型号:2156-R1LV0816ASD-5SI#B0-RE-ND

含税单价201.0500

品      牌Renesas Electronics America Inc

参数 SRAM 存储器 IC 8Mb(1M x 8,512K x 16) 并联 55ns 52-TSOP II
标准包装 1
数据表 R1LV0816ASD-5SI#B0 PDF资料

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类型 描述
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 Rochester Electronics, LLC
系列 -
包装 托盘 
零件状态 停產
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM
存储容量 8Mb(1M x 8,512K x 16)
存储器接口 并联
写周期时间 - 字,页 55ns
访问时间 55ns
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 52-TFSOP(0.350",8.89mm 宽)
供应商器件封装 52-TSOP II
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