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CYD09S18V18-200BBXI

供应商型号:2156-CYD09S18V18-200BBXI-CY-ND

含税单价1324.8000

品      牌Cypress Semiconductor Corp

参数 SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 9Mb(512K x 18) 并联 200MHz 3.3ns 256-FBGA(17x17)
标准包装 90
数据表 CYD09S18V18-200BBXI PDF资料

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类型 描述
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 Rochester Electronics, LLC
系列 -
包装 托盘 
零件状态 停產
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 双端口,同步
存储容量 9Mb(512K x 18)
存储器接口 并联
时钟频率 200MHz
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 3.3ns
电压 - 供电 1.42V ~ 1.58V,1.7V ~ 1.9V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 256-LBGA
供应商器件封装 256-FBGA(17x17)
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