类型 | 描述 | |
类别 | 集成电路(IC) | |
---|---|---|
存储器 | ||
制造商 | Micron Technology Inc. | |
系列 | Automotive, AEC-Q100 | |
包装 | 卷带(TR) | |
零件状态 | 有源 | |
存储器类型 | 易失 | |
存储器格式 | DRAM | |
技术 | SDRAM - DDR3L | |
存储容量 | 4Gb(256M x 16) | |
存储器接口 | 并联 | |
时钟频率 | 933MHz | |
写周期时间 - 字,页 | - | |
访问时间 | 20ns | |
电压 - 供电 | 1.283V ~ 1.45V | |
工作温度 | -40°C ~ 95°C(TC) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 96-TFBGA | |
供应商器件封装 | 96-FBGA(8x14) |