| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 700|mW |
| 封装类型： | TO-92 |
| 安装方式： | Through Hole |
含税单价￥2.5600
品 牌Diodes Incorporated 期货周期N/A
| 参数 | ZVN2110A 系列 100 V 4 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- TO-92 |
| 标准包装 | 4000/ |
| 数据表 | ZVN2110A PDF资料 |
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￥59.1400/件
￥3043.1600/件
￥57.8000/件
￥5.9800/件
￥393.8100/件
￥1932.1300/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 700|mW |
| 封装类型： | TO-92 |
| 安装方式： | Through Hole |
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