| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 2|W |
| 封装类型： | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥3.8600
品 牌Diodes Incorporated 期货周期N/A
| 参数 | ZVN2110G Series 100 V 4 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-223 |
| 标准包装 | 1000/卷盘 |
| 数据表 | ZVN2110GTA PDF资料 |
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￥24.2500/件
￥154.5400/件
￥1932.1300/件
￥46.6200/件
￥4.5700/件
￥1.4600/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 2|W |
| 封装类型： | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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