| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.04Ω |
| Rated Power Dissipation: | 2|W |
| Qg Gate Charge: | 24.2nC |
| 封装类型： | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥9.7600
品 牌Diodes Incorporated 期货周期N/A
| 参数 | ZXMN6A09G 系列 60 V 0.04 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOT-223 |
| 标准包装 | 1000/卷盘 |
| 数据表 | ZXMN6A09GTA PDF资料 |
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￥125.5200/件
￥0.6400/件
￥114.3800/件
￥397.8300/件
￥20.6300/件
￥80.1180/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.04Ω |
| Rated Power Dissipation: | 2|W |
| Qg Gate Charge: | 24.2nC |
| 封装类型： | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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