| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 650mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 360|mW |
| Qg Gate Charge: | 1.7nC |
| 封装类型： | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥0.5700
品 牌Infineon 期货周期38 周
| 参数 | N-沟道 55 V 0.54 A 650 mΩ 1.7 nC OpitMOS 增强型 Mosfet - SOT-23 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | BSS670S2LH6327XTSA1 PDF资料 |
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￥733.2100/件
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￥1247.0300/件
￥66.4600/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 650mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 360|mW |
| Qg Gate Charge: | 1.7nC |
| 封装类型： | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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