| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 25V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.1|W |
| Qg Gate Charge: | 39nC |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥8.7400
品 牌Infineon 期货周期52 周
| 参数 | BSZ018NE2LS 系列 25 V 1.8 mOhm N沟道 OptiMOSTM 功率-MOSFET - PG-TSDSON-8 |
| 标准包装 | 5000/卷盘 |
| 数据表 | BSZ018NE2LSATMA1 PDF资料 |
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￥2.9900/件
￥3456.1900/件
￥3.9000/件
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￥121.3500/件
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| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 25V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.1|W |
| Qg Gate Charge: | 39nC |
| 安装方式： | Surface Mount |
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