| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.045Ω |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 39.3nC |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥2.8500
品 牌Infineon 期货周期52 周
| 参数 | Single P-Channel 30 V 0.045 Ohm 39.3 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 |
| 标准包装 | 4000/卷盘 |
| 数据表 | IRF7406TRPBF PDF资料 |
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￥20.6300/件
￥20.1600/件
￥2.8295/件
￥1.0900/件
￥1.2400/件
￥25.8300/件
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.045Ω |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 39.3nC |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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