| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.21Ω |
| Rated Power Dissipation: | 48|W |
| Qg Gate Charge: | 25nC |
| 封装类型： | TO-252AA |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥2.3000
品 牌Infineon 期货周期52 周
| 参数 | 单 N-沟道 100 V 0.21 Ohm 25nC HEXFET® 功率 Mosfet - TO-252AA |
| 标准包装 | 2000/卷盘 |
| 数据表 | IRFR120NTRPBF PDF资料 |
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￥38.5634/件
￥2.2000/件
￥519.7300/件
￥1.6100/件
￥18.1900/件
￥2.2400/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.21Ω |
| Rated Power Dissipation: | 48|W |
| Qg Gate Charge: | 25nC |
| 封装类型： | TO-252AA |
| 安装方式： | Surface Mount |
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