| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 190mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 35|W |
| Qg Gate Charge: | 6.9nC |
| 封装类型： | TO-252AA |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥2.5200
品 牌Infineon 期货周期52 周
| 参数 | MOSFET 100 V 8.7A 190 mOhm 6.9 nC Qg D-Pak |
| 标准包装 | 2000/卷盘 |
| 数据表 | IRFR120ZTRPBF PDF资料 |
供应商现货库存不足，可定期货，请点击联系客服 |
￥1.6100/件
￥554.3800/件
￥56.1877/件
￥2.2800/件
￥31.1000/件
￥1.6100/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 190mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 35|W |
| Qg Gate Charge: | 6.9nC |
| 封装类型： | TO-252AA |
| 安装方式： | Surface Mount |
种类齐全 一站购物
正品保障 源头可溯
极速物流 在线跟踪
优质服务 省心省时
客服企业微信
400-861-9258
