| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 600mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 43|W |
| Qg Gate Charge: | 15nC |
| 封装类型： | TO-252AA |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥5.8209
品 牌Infineon 期货周期52 周
| 参数 | 单 N-沟道 200 V 600 mOhm 15 nC HEXFET® 功率 Mosfet - TO-252AA |
| 标准包装 | 2000/ |
| 数据表 | IRFR220NTRPBF PDF资料 |
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￥54.8900/件
￥3773.3000/件
￥994.4100/件
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| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 600mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 43|W |
| Qg Gate Charge: | 15nC |
| 封装类型： | TO-252AA |
| 安装方式： | Surface Mount |
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