| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.065Ω |
| Rated Power Dissipation: | 110|W |
| Qg Gate Charge: | 63nC |
| 封装类型： | TO-252AA |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥7.6800
品 牌Infineon 期货周期52 周
| 参数 | 单 P-沟道 55V 0.065 Ohm 63 nC HEXFET® 功率 Mosfet - TO-252AA |
| 标准包装 | 2000/卷盘 |
| 数据表 | IRFR5305TRPBF PDF资料 |
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￥1.0700/件
￥2.8000/件
￥27.7200/件
￥1.6169/件
￥247.2600/件
￥2.0500/件
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.065Ω |
| Rated Power Dissipation: | 110|W |
| Qg Gate Charge: | 63nC |
| 封装类型： | TO-252AA |
| 安装方式： | Surface Mount |
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