| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.205Ω |
| Rated Power Dissipation: | 66|W |
| Qg Gate Charge: | 58nC |
| 封装类型： | TO-252AA |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥8.9000
品 牌Infineon 期货周期52 周
| 参数 | 单 P-沟道 100 V 0.205 Ohm 58nC HEXFET® 功率 Mosfet - TO-252AA |
| 标准包装 | 2000/卷盘 |
| 数据表 | IRFR5410TRPBF PDF资料 |
供应商现货库存不足，可定期货，请点击联系客服 |
￥2.6800/件
￥2.4000/件
￥1.4300/件
￥2.0500/件
￥942.1200/件
￥461.3000/件
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.205Ω |
| Rated Power Dissipation: | 66|W |
| Qg Gate Charge: | 58nC |
| 封装类型： | TO-252AA |
| 安装方式： | Surface Mount |
种类齐全 一站购物
正品保障 源头可溯
极速物流 在线跟踪
优质服务 省心省时
客服企业微信
400-861-9258
