| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 375|W |
| Qg Gate Charge: | 200nC |
| 封装类型： | TO-263-3 (D2PAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥20.0000
品 牌Infineon 期货周期52 周
| 参数 | IRFS3006PbF系列 60 V 2.5 mOhm N沟道 HEXFET 功率Mosfet - D2PAK |
| 标准包装 | 800/卷盘 |
| 数据表 | IRFS3006TRLPBF PDF资料 |
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￥2.5200/件
￥74.2600/件
￥3.4359/件
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￥74.2600/件
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| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 375|W |
| Qg Gate Charge: | 200nC |
| 封装类型： | TO-263-3 (D2PAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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