| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 480mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.25|W |
| Qg Gate Charge: | 0.67nC |
| 封装类型： | MICRO-3 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥2.7892
品 牌Infineon 期货周期26 周
| 参数 | 单 N-沟道 60 V 480 mOhm 0.67 nC HEXFET® 功率 Mosfet - MICRO-3 |
| 标准包装 | 3000/ |
| 数据表 | IRLML2060TRPBF PDF资料 |
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￥171.2700/件
￥2.5600/件
￥3.1100/件
￥27.8000/件
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￥236.2400/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 480mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.25|W |
| Qg Gate Charge: | 0.67nC |
| 封装类型： | MICRO-3 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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