| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 27mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.3|W |
| Qg Gate Charge: | 8.9nC |
| 封装类型： | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥1.4300
品 牌Infineon 期货周期52 周
| 参数 | 单 N-沟道 20 V 27 mOhm 8.9 nC HEXFET® 功率 Mosfet - SOT-23 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | IRLML6244TRPBF PDF资料 |
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￥1.8100/件
￥2.3200/件
￥1.0600/件
￥252.5300/件
￥6.1000/件
￥1.1700/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 27mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.3|W |
| Qg Gate Charge: | 8.9nC |
| 封装类型： | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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