| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1000V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.05Ω |
| Rated Power Dissipation: | 463|W |
| Qg Gate Charge: | 80nC |
| 封装类型： | TO-247-3 |
| 安装方式： | Through Hole |
含税单价￥51.6600
品 牌IXYS 期货周期50 周
| 参数 | N-沟道 1 kV 1.05 Ω 80 nC PolarTM HiPerFET 功率 Mosfet - TO-247 |
| 标准包装 | 30/管装 |
| 数据表 | IXFH12N100P PDF资料 |
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￥10.5500/件
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￥58.8555/件
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￥8.9000/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1000V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.05Ω |
| Rated Power Dissipation: | 463|W |
| Qg Gate Charge: | 80nC |
| 封装类型： | TO-247-3 |
| 安装方式： | Through Hole |
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