| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 150V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 10mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 800|W |
| Qg Gate Charge: | 240nC |
| 封装类型： | TO-264 |
| 安装方式： | Flange Mount |
含税单价￥109.6200
品 牌IXYS 期货周期48 周
| 参数 | IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 10 mOhm 800 W 功率 MOSFET - TO-264AA |
| 标准包装 | 25/管装 |
| 数据表 | IXTK180N15P PDF资料 |
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￥16.6200/件
￥6.3400/件
￥3.7800/件
￥33.4700/件
￥9.2900/件
￥8.1900/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 150V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 10mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 800|W |
| Qg Gate Charge: | 240nC |
| 封装类型： | TO-264 |
| 安装方式： | Flange Mount |
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