| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 250V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 33mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 960|W |
| Qg Gate Charge: | 640nC |
| 封装类型： | TO-264 |
| 安装方式： | Through Hole |
含税单价￥394.0500
品 牌IXYS 期货周期48 周
| 参数 | IXTK 系列 单 N 沟道 250 V 33 mOhm 960 W 功率 MOSFET - TO-264 |
| 标准包装 | 25/管装 |
| 数据表 | IXTK90N25L2 PDF资料 |
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￥10.9142/件
￥47.8606/件
￥12.9900/件
￥24.0200/件
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| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 250V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 33mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 960|W |
| Qg Gate Charge: | 640nC |
| 封装类型： | TO-264 |
| 安装方式： | Through Hole |
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