| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 1.6|W |
| 封装类型： | SOT-89 (SC-62) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥9.1900
品 牌Microchip 期货周期52 周
| 参数 | N-沟道 100 V 1.5 Ω 表面贴装 逻辑电平 Mosfet - SOT-89 |
| 标准包装 | 2000/卷盘 |
| 数据表 | TN2510N8-G PDF资料 |
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￥237.5000/件
￥2.8700/件
￥68.1900/件
￥59.5300/件
￥142.8500/件
￥5.5500/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 1.6|W |
| 封装类型： | SOT-89 (SC-62) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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