| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 50V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 6Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.36|W |
| Qg Gate Charge: | 2.4nC |
| 封装类型： | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥2.1425
品 牌ON Semiconductor 期货周期25 周
| 参数 | 50 V 6 Ohms N 沟道 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管 SOT-23 |
| 标准包装 | 3000/ |
| 数据表 | BSS138 PDF资料 |
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￥0.8800/件
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| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 50V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 6Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.36|W |
| Qg Gate Charge: | 2.4nC |
| 封装类型： | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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