| Fet Type: | Dual N-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.08Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.7|W |
| Qg Gate Charge: | 5nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥8.6500
品 牌ON Semiconductor 期货周期48 周
| 参数 | Dual N-Channel 20V 0.08 Ohm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet-SSOT-6 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDC6305N PDF资料 |
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￥69.7697/件
￥84.8069/件
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￥89.6500/件
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.08Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.7|W |
| Qg Gate Charge: | 5nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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