| Fet Type: | Dual N/P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V/-20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.08Ω/0.17Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.7|W |
| Qg Gate Charge: | 3.25nC/2.85nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥1.8500
品 牌ON Semiconductor 期货周期N/A
| 参数 | Dual N/P-Channel 20 V 0.08 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet - SSOT-6 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDC6327C PDF资料 |
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￥36.4613/件
￥151.3800/件
￥380.6100/件
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￥294.1100/件
￥6954.7900/件
| Fet Type: | Dual N/P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V/-20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.08Ω/0.17Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.7|W |
| Qg Gate Charge: | 3.25nC/2.85nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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