| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 43mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.8|W |
| Qg Gate Charge: | 8nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥2.6700
品 牌ON Semiconductor 期货周期N/A
| 参数 | FDC638 系列 20 V 43 mOhm P 沟道 2.5V PowerTrench® 指定 Mosfet - SSOT-6 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDC638APZ PDF资料 |
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￥43.2500/件
￥62.4400/件
￥0.4366/件
￥0.4900/件
￥0.6400/件
￥75.1000/件
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 43mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.8|W |
| Qg Gate Charge: | 8nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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