| Fet Type: | Dual N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 70mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.7|W |
| Qg Gate Charge: | 4.6nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥2.2000
品 牌ON Semiconductor 期货周期10 周
| 参数 | Dual N-Channel 20 V 70 mOhm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDC6401N PDF资料 |
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￥46.5500/件
￥559.1200/件
￥100.1900/件
￥0.4600/件
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| Fet Type: | Dual N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 70mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.7|W |
| Qg Gate Charge: | 4.6nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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